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MSD601-ST1G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V 0.1A SC59

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 290 @ 2mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SC-59
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MSD601 ON Spezialisierte heiße ICs 15228
MSD601-RT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3299
MSD601-RT1 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MSD601-RT1 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
MSD601-RT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3175
MSD601-RT1G ON Spezialisierte heiße ICs 3310
MSD601-RT1G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MSD601-RT2 MOTOROL Spezialisierte heiße ICs 166519
MSD601-ST1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 51276
MSD601-ST1 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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