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MUN5137DW1T1 Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MUN5111DW1T1 ON Spezialisierte heiße ICs 4000
MUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 139500
MUN5111DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
MUN5111DWT1G ON Spezialisierte heiße ICs 2575
MUN5111LT1G ON Spezialisierte heiße ICs 3000
MUN5111T1 ON Spezialisierte heiße ICs 2478
MUN5111T1 Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9700
MUN5111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
MUN5111T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 521

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MUN5137DW1T1 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, MUN5137DW1T1 Referenzpreis. MUN5137DW1T1 Parameter, MUN5137DW1T1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MUN5137DW1T1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MUN5137DW1T1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MUN5137DW1T1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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