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MUN5335DW1T2
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MUN5335DW1T2 Technische Spezifikationen
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | Rochester Electronics, LLC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | COMMERCIAL |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2k Ω |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Transistor Element Material | SILICON |
JESD-609 Code | e0 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.4 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
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-
Datenblätter
Andere schließen ein "MUN53" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'MUN53'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MUN53110W1T1 | ON | Spezialisierte heiße ICs | 3100 |
MUN5311DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 163800 |
MUN5311DW1T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5311DW1T1 | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5311DW1T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 500373 |
MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5311DW1T2G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2632 |
MUN5311DW1T2G | ON Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
MUN5312DW1T | ON | Spezialisierte heiße ICs | 6500 |
MUN5312DW1T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 16600 |
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I/O-Erweiterungen
MUN5335DW1T2 Markenhersteller: Rochester Electronics, LLC, Bonchip Aktie, MUN5335DW1T2 Referenzpreis. MUN5335DW1T2 Parameter, MUN5335DW1T2 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MUN5335DW1T2 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MUN5335DW1T2 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MUN5335DW1T2 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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