PBLS4003D,115 Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 40V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 600mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 310mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 6-TSOP
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 700mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBLS4001D NXP Spezialisierte heiße ICs 21424
PBLS4001D,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2787
PBLS4001D,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS4001V NXP Spezialisierte heiße ICs 12343
PBLS4001V,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2638
PBLS4001V,115 NXP USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS4001Y NXP Spezialisierte heiße ICs 66242
PBLS4001Y,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2732
PBLS4001Y,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS4002D NXP Spezialisierte heiße ICs 36284

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