PBLS6004D,115 Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 60V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 600mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 185MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package 6-TSOP
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 700mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PBLS6001D NXP Spezialisierte heiße ICs 18000
PBLS6001D,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2562
PBLS6001D,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS6002D NXP Spezialisierte heiße ICs 42694
PBLS6002D,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2510
PBLS6002D,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS6003D NXP Spezialisierte heiße ICs 2643
PBLS6003D,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2745
PBLS6003D,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PBLS6004D NXP Spezialisierte heiße ICs 39000

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