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PDTA123TMB,315 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 250mW
Package / Case 3-XFDFN
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package 3-DFN1006B (0.6x1)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTA113EE NXP Spezialisierte heiße ICs 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EK NXP Spezialisierte heiße ICs 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EM,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EMB,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren

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PDTA123TMB,315 Markenhersteller: Nexperia, Bonchip Aktie, PDTA123TMB,315 Referenzpreis. PDTA123TMB,315 Parameter, PDTA123TMB,315 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PDTA123TMB,315 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PDTA123TMB,315 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PDTA123TMB,315 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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