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PDTC115EUF Technische Spezifikationen

PDTC115EU/SOT323/SC-70

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SC-70
Resistor - Base (R1) 100 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20mA Surface Mount SC-70
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 100 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 934057289135
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 20mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTC114E NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte ICs 10219
PDTC114EE SOD523 Spezialisierte heiße ICs 5811
PDTC114EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
PDTC114EE,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTC114EE/DG NXP Spezialisierte heiße ICs 3550
PDTC114EE115 NXP Spezialisierte heiße ICs 2526
PDTC114EEF PHILIPS Spezialisierte heiße ICs 4000
PDTC114EETL PHI Spezialisierte heiße ICs 1217
PDTC114EK NXP Spezialisierte heiße ICs 11871
PDTC114EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2636

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