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SI1025X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7nC @ 15V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Base Part Number SI1025
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1025X-T1-GE3TR SI1025XT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23pF @ 25V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190mA
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SI1025X-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI1025X-T1-GE3 Referenzpreis. SI1025X-T1-GE3 Parameter, SI1025X-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1025X-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1025X-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1025X-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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