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SI1035X-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 400mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA, 145mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI1035X-T1-E3CT SI1035XT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Base Part Number SI1035
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SI1035X-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI1035X-T1-E3 Referenzpreis. SI1035X-T1-E3 Parameter, SI1035X-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1035X-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1035X-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1035X-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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