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SI1078X-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 142 mOhm @ 1A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SI1078X-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.02A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 240mW (Tc)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
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SI1078X-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI1078X-T1-GE3 Referenzpreis. SI1078X-T1-GE3 Parameter, SI1078X-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI1078X-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI1078X-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI1078X-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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