SI2304DS,215 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 1.7A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 568-5957-2 934056633215 SI2304DS T/R SI2304DS T/R-ND SI2304DS,215-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
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