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SI3585DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 830mW
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SI3585DV-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI3585DV-T1-GE3 Referenzpreis. SI3585DV-T1-GE3 Parameter, SI3585DV-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI3585DV-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI3585DV-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI3585DV-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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