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SI4062DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 7.8W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32.1A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4062DY-T1-GE3TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3175pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 32.1A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
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SI4062DY-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4062DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4062DY-T1-GE3 Parameter, SI4062DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4062DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4062DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4062DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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