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SI4388DY-T1-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.3W, 3.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 946pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.7A, 11.3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI4388DY-T1-E3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4388
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SI4388DY-T1-E3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4388DY-T1-E3 Referenzpreis. SI4388DY-T1-E3 Parameter, SI4388DY-T1-E3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4388DY-T1-E3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4388DY-T1-E3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4388DY-T1-E3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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