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SI4505DY-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 21 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A, 3.8A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 7.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SI4500B SI Spezialisierte heiße ICs 2907
SI4500BDY VISHAY Spezialisierte heiße ICs 988
SI4500BDY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 10996
SI4500BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5420
SI4500BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SI4500BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2555
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SI4505DY-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI4505DY-T1-GE3 Referenzpreis. SI4505DY-T1-GE3 Parameter, SI4505DY-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI4505DY-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI4505DY-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI4505DY-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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