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SI5515DC-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5515
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A, 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SI5515DC-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SI5515DC-T1-GE3 Referenzpreis. SI5515DC-T1-GE3 Parameter, SI5515DC-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI5515DC-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI5515DC-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI5515DC-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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