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SI8902EDB-T2-E1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 980µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1W
Package / Case 6-MICRO FOOT®CSP
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-Micro Foot™
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SI8900B-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Datenerfassung - Analog-Digital-Wandler (ADC) 2556
SI8900B-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900B-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Datenerfassung - Analog-Digital-Wandler (ADC) 1552
SI8900B-A01-GSR Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Datenerfassung - Analog-Digital-Wandler (ADC) 2647
SI8900D-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Datenerfassung - Analog-Digital-Wandler (ADC) 2685
SI8900EDB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 687
SI8900EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 688
SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SI8902EDB-T2-E1 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SI8902EDB-T2-E1 Referenzpreis. SI8902EDB-T2-E1 Parameter, SI8902EDB-T2-E1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SI8902EDB-T2-E1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SI8902EDB-T2-E1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SI8902EDB-T2-E1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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