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SIA922EDJ-T4-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V SMD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Vishay Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series TrenchFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
FET Feature Standard
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.9W Ta 7.8W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64m Ω @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A Ta 4.5A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30368
SIA920DJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30368
SIA920DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SIA921EDJ Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 5367
SIA921EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 252599
SIA921EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 40325
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SIA921EDJ-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 78450
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SIA922EDJ-T4-GE3 Markenhersteller: Vishay Siliconix, Bonchip Aktie, SIA922EDJ-T4-GE3 Referenzpreis. SIA922EDJ-T4-GE3 Parameter, SIA922EDJ-T4-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA922EDJ-T4-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA922EDJ-T4-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA922EDJ-T4-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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