SIHF22N60S-E3 Technische Spezifikationen

MOSFET 600V N-Channel Super junction TO-220FP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Vishay Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 190mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 250W Tc
Power Dissipation 250W
Turn On Delay Time 24 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A Tc
Rise Time 68ns
Turn-Off Delay Time 77 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 65A
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2810pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Fall Time (Typ) 59 ns
Continuous Drain Current (ID) 22A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 690 mJ
REACH SVHC Unknown
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SIHF22N60E Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 46
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