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SIHF7N60E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 31W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
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SIHF7N60E-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHF7N60E-GE3 Referenzpreis. SIHF7N60E-GE3 Parameter, SIHF7N60E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHF7N60E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHF7N60E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHF7N60E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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