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SIS415DNT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5460pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names SIS415DNT-T1-GE3DKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SIS415DNT-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIS415DNT-T1-GE3 Referenzpreis. SIS415DNT-T1-GE3 Parameter, SIS415DNT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIS415DNT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIS415DNT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIS415DNT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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