SIZ240DT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

Dual N-Channel 40 V (D-S) MOSFETs

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Vishay Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-PowerPair® (3.3x3.3)
Series TrenchFET® Gen IV
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A Ta 48A Tc 16.9A Ta 47A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-PowerWDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Active
Power - Max 4.3W Ta 33W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.05mOhm @ 10A, 10V, 8.41mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF 1070pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC, 22nC @ 10V
FET Feature Standard
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