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SQD50N10-8M9L_GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CHAN 100V TO252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SQD50N10-8M9L_GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SQD50A100 SANREX IGBT-Module 2974
SQD50A60 SANREX IGBT-Module 2703
SQD50A90 SANREX IGBT-Module 2807
SQD50AA100 SANREX IGBT-Module 2713
SQD50AB100 IGBT Module IGBT-Module 2744
SQD50AB90 SANREX IGBT-Module 2884
SQD50B90 SANREX IGBT-Module 2886
SQD50BA100 SANREX IGBT-Module 2570
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SQD50N10-8M9L_GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SQD50N10-8M9L_GE3 Referenzpreis. SQD50N10-8M9L_GE3 Parameter, SQD50N10-8M9L_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQD50N10-8M9L_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQD50N10-8M9L_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQD50N10-8M9L_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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