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SQJB60EP-T2_GE3 Technische Spezifikationen

DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Vishay Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Power - Max 48W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature Standard
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SQJB60EP-T1-GE3 VIS Spezialisierte heiße ICs 3000
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2789
SQJB60EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2689
SQJB60EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays
SQJB68EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2760
SQJB68EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistor Arrays

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SQJB60EP-T2_GE3 Markenhersteller: Vishay Siliconix, Bonchip Aktie, SQJB60EP-T2_GE3 Referenzpreis. SQJB60EP-T2_GE3 Parameter, SQJB60EP-T2_GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SQJB60EP-T2_GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SQJB60EP-T2_GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SQJB60EP-T2_GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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