TPS1100D Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer N/A
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +2V, -15V
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 791mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TPS1100DG4 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2693
TPS1100DR N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 49262
TPS1100DR MOS TI Spezialisierte heiße ICs 1462
TPS1100DRG4 T Spezialisierte heiße ICs 10365
TPS1100PW N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2753
TPS1100PWR N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4376
TPS1100YD TI Spezialisierte heiße ICs 4355
TPS1101D N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2366
TPS1101DG4 N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2680
TPS1101DR N/A Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2248

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