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UNR51A2G0L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition 80MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SMini3-F2
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UNR5110 PANASON Spezialisierte heiße ICs 12500
UNR511000L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2531
UNR511000L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
UNR5110J Original Spezialisierte heiße ICs 30000
UNR5110J IC MSV Spezialisierte heiße ICs 3233
UNR5110J01FX Original Spezialisierte heiße ICs 7682
UNR5110J01FX+ Panasonic Spezialisierte heiße ICs 3000
UNR5110J0L PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 3000
UNR5110J0L+ Panasonic Spezialisierte heiße ICs 36000
UNR5111 Panasonic Spezialisierte heiße ICs 15410

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