VS-GT100TP120N Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-PAK (3 + 4)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 180A 652W Chassis Mount INT-A-PAK
Current - Collector (Ic) (Max) 180A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Power - Max 652W
Other Names VSGT100TP120N
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.8nF @ 30V
IGBT Type Trench
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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VS-GT100DA120U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - IGBTs - Module 0
VS-GT100DA120U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistoren - IGBTs - Module 2716
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT-Module
VS-GT100DA120UF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - IGBTs - Module 2536
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT-Module
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VS-GT100DA60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - IGBTs - Module 2530
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