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A2T18S262W12NR3 Technische Spezifikationen

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - HF
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Test 28V
Transistor Type LDMOS
Power - Output 231W
Other Names 935346497528
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Frequency 1.805GHz ~ 1.88GHz
Current Rating 10µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Rated 65V
Supplier Device Package OM-880X-2L2L
Package / Case OM-880X-2L2L
Noise Figure -
Gain 19.3dB
Detailed Description RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.805GHz ~ 1.88GHz 19.3dB 231W OM-880X-2L2L
Current - Test 1.6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
A2T18H100-25SR3 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 697
A2T18H100-25SR3 NXP USA Inc. RF-MOSFET-Transistoren
A2T18H160-24SR3 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2523
A2T18H160-24SR3 NXP USA Inc. RF-MOSFET-Transistoren
A2T18H410-24SR6 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 359
A2T18H410-24SR6 NXP USA Inc. RF-MOSFET-Transistoren
A2T18H450W19SR6 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2686
A2T18H450W19SR6 NXP USA Inc. RF-MOSFET-Transistoren
A2T18H455W23NR6 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - HF 2554
A2T18H455W23NR6 NXP USA Inc. RF-MOSFET-Transistoren

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A2T18S262W12NR3 Markenhersteller: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip Aktie, A2T18S262W12NR3 Referenzpreis. A2T18S262W12NR3 Parameter, A2T18S262W12NR3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden A2T18S262W12NR3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden A2T18S262W12NR3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, A2T18S262W12NR3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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