BSH111,215 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 830mW (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 335mA (Ta)
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BSH111 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 30284
BSH111,215 Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 321500
BSH111,215 Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren
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BSH111,235 Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2716
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