BUK9E2R3-40E,127 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13160pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 293W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87.8nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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BUK9E2R3-40E,127 Markenhersteller: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip Aktie, BUK9E2R3-40E,127 Referenzpreis. BUK9E2R3-40E,127 Parameter, BUK9E2R3-40E,127 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden BUK9E2R3-40E,127 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden BUK9E2R3-40E,127 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, BUK9E2R3-40E,127 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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