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IRF530N,127 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 79W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRF530 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF5305 IR Spezialisierte heiße ICs 10354
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IRF5305LPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2716
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IRF530N,127 Markenhersteller: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip Aktie, IRF530N,127 Referenzpreis. IRF530N,127 Parameter, IRF530N,127 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF530N,127 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF530N,127 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF530N,127 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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