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PDTA114EEAF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SC-75
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTA113EE NXP Spezialisierte heiße ICs 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EK NXP Spezialisierte heiße ICs 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EM,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTA113EMB,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren

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PDTA114EEAF Markenhersteller: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip Aktie, PDTA114EEAF Referenzpreis. PDTA114EEAF Parameter, PDTA114EEAF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PDTA114EEAF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PDTA114EEAF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PDTA114EEAF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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