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PDTC114YS,126 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTC114E NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte ICs 10219
PDTC114EE SOD523 Spezialisierte heiße ICs 5811
PDTC114EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
PDTC114EE,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTC114EE/DG NXP Spezialisierte heiße ICs 3550
PDTC114EE115 NXP Spezialisierte heiße ICs 2526
PDTC114EEF PHILIPS Spezialisierte heiße ICs 4000
PDTC114EETL PHI Spezialisierte heiße ICs 1217
PDTC114EK NXP Spezialisierte heiße ICs 11871
PDTC114EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2636

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PDTC114YS,126 Markenhersteller: NXP Semiconductors / Freescale, Bonchip Aktie, PDTC114YS,126 Referenzpreis. PDTC114YS,126 Parameter, PDTC114YS,126 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PDTC114YS,126 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PDTC114YS,126 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PDTC114YS,126 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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