PHM21NQ15T,518 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package 8-HVSON (6x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2080pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22.2A (Tc)
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