PMF63UN,115 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 185pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-323-3
Power Dissipation (Max) 275mW (Ta), 1.785W (Tc)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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PMF63UN NXP Spezialisierte heiße ICs 22812
PMF63UN ,115 NEXP Spezialisierte heiße ICs 12009
PMF63UNE NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 3000
PMF63UNE MOS Nexperia Spezialisierte heiße ICs 3511
PMF63UNEAX Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2625
PMF63UNEX Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 125278
PMF63UNEX Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren

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