PMV28UN,215 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 270µA
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Power Dissipation (Max) 380mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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