PSMN004-55W,127 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 100A SOT429

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 226nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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