BC857B/DG/B3,215 Technische Spezifikationen

TRANS GEN PURPOSE TO-236AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type PNP
Power - Max 250mW
Other Names 934066595215
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Supplier Device Package TO-236AB
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
BC857 Original Spezialisierte heiße ICs 3409
BC857 3F CJ Spezialisierte heiße ICs 3058
BC857 3G CHANGDIAN Spezialisierte heiße ICs 15261
BC857 3H Original Spezialisierte heiße ICs 30454
BC857 3K NXP Spezialisierte heiße ICs 2725
BC857 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 466
BC857,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2527
BC857,215 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren
BC857,235 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2671
BC857,235 Nexperia USA Inc. Einzelne BJT-Transistoren

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