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PDTC144WMB,315 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 250mW
Package / Case 3-XFDFN
Frequency - Transition 230MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package 3-DFN1006B (0.6x1)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTC114E NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte ICs 10219
PDTC114EE SOD523 Spezialisierte heiße ICs 5811
PDTC114EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2580
PDTC114EE,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTC114EE/DG NXP Spezialisierte heiße ICs 3550
PDTC114EE115 NXP Spezialisierte heiße ICs 2526
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PDTC144WMB,315 Markenhersteller: Nexperia, Bonchip Aktie, PDTC144WMB,315 Referenzpreis. PDTC144WMB,315 Parameter, PDTC144WMB,315 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PDTC144WMB,315 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PDTC144WMB,315 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PDTC144WMB,315 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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