PDTD114EUX Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 225MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-323-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PDTD113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2794
PDTD113EK,115 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTD113EQAZ Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2794
PDTD113EQAZ Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTD113ES,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2741
PDTD113ES,126 NXP USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren
PDTD113ET NXP Spezialisierte heiße ICs 6000
PDTD113ET ,215 IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 596
PDTD113ET,215 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2705
PDTD113ET,215 Nexperia USA Inc. Vorbelastete BJT-Transistoren

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