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PEMD10,115 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SOT-666
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PEMD10 NXP Spezialisierte heiße ICs 4330
PEMD10,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD10/DG NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 8000
PEMD10115 NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 2603
PEMD12 NXP Spezialisierte heiße ICs 384750
PEMD12,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2778
PEMD12,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD12,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2577
PEMD12,315 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD13 NXP Spezialisierte heiße ICs 3075

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