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PEMD2,115 Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 300mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-666
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PEMD2 NXP Spezialisierte heiße ICs 13344
PEMD2,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD2,315 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2519
PEMD2,315 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD20 PHILIPS Spezialisierte heiße ICs 16395
PEMD20,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2658
PEMD20,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PEMD24,115 Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2555
PEMD24,115 Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays

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