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PMCXB1000UEZ Technische Spezifikationen

MOSFET ARRAY N/PCH 30V DFN1010B6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
FET Type N and P-Channel Complementary
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package DFN1010B-6
Power - Max 285mW (Ta)
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 590mA (Ta), 410mA (Ta)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. MOSFETs Transistor Arrays
PMCXB900UE Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 37317
PMCXB900UELZ Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2721
PMCXB900UELZ Nexperia USA Inc. MOSFETs Transistor Arrays
PMCXB900UEZ Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5225
PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc. MOSFETs Transistor Arrays
PMCXB900UEZ IC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 2205

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