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PMV65ENEAR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V TO-236AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
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Die folgenden Teile umfassen  'PMV65' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PMV65 Original Spezialisierte heiße ICs 18500
PMV65EN NXP/PL Spezialisierte heiße ICs 45000
PMV65ENEA Nexperia Spezialisierte heiße ICs 3444
PMV65ENEAR Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren
PMV65UN NXP Spezialisierte heiße ICs 3434
PMV65UN ,215 NEXP Spezialisierte heiße ICs 4140
PMV65UN MOS Nexperia Spezialisierte heiße ICs 6499
PMV65UN,125 NXP Spezialisierte heiße ICs 12340
PMV65UN,215 NXP Semiconductors / Freescale Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3800
PMV65UN.215 NXP Spezialisierte heiße ICs 6500

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