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PRMH10Z Technische Spezifikationen

PRMH10/SOT1268/DFN1412-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names 1727-7395-1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package DFN1412-6
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 480mW
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Die folgenden Teile umfassen  'PRMH1' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PRMH10Z Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PRMH11Z Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2532
PRMH11Z Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays
PRMH13Z Nexperia Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2795
PRMH13Z Nexperia USA Inc. BJT-Transistor-Arrays

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