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PSMN3R3-80ES,127 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 338W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9961pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
PSMN3R0-30MLC NXP Semiconductors / Freescale Spezialisierte heiße ICs 278
PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2506
PSMN3R0-30MLC,115 Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren
PSMN3R0-30YL NXP Spezialisierte heiße ICs 2707
PSMN3R0-30YL,115 Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2567
PSMN3R0-30YL,115 Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren
PSMN3R0-30YLD NXP Spezialisierte heiße ICs 7378
PSMN3R0-30YLDX Nexperia Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2795
PSMN3R0-30YLDX Nexperia USA Inc. Einzelne MOSFET-Transistoren
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PSMN3R3-80ES,127 Markenhersteller: Nexperia, Bonchip Aktie, PSMN3R3-80ES,127 Referenzpreis. PSMN3R3-80ES,127 Parameter, PSMN3R3-80ES,127 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden PSMN3R3-80ES,127 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden PSMN3R3-80ES,127 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, PSMN3R3-80ES,127 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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