2N3055H Technische Spezifikationen

2N3055H datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2004
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 115W
Base Part Number 2N3055
Element Configuration Single
Power - Max 115W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 15A
Current - Collector Cutoff (Max) 700μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 15A
Frequency - Transition 2.5MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package TO-204 (TO-3)
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 15A
Polarity NPN
Power Dissipation 115W
Gain Bandwidth Product 2.5MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.1V
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
hFE Min 20
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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2N3053 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2415
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