2N3442 Technische Spezifikationen

2N3442 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 2
Operating Temperature -65°C~200°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -65°C
Max Power Dissipation 117W
Base Part Number 2N3442
Element Configuration Single
Power - Max 117W
Transistor Type NPN
Max Collector Current 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 200mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 140V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Frequency - Transition 80MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-204AA, TO-3
Supplier Device Package TO-204 (TO-3)
Packaging Tray
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 140V
Current Rating 10A
Polarity NPN
Power Dissipation 117W
Gain Bandwidth Product 80MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 3A 4V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 2A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Collector Emitter Saturation Voltage 5V
Collector Base Voltage (VCBO) 160V
hFE Min 20
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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