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2N3703 Technische Spezifikationen

2N3703 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Position BOTTOM
Reach Compliance Code unknown
JESD-30 Code O-PBCY-W3
Number of Elements 1
Power - Max 625mW
Transistor Type PNP
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transition Frequency 100MHz
Collector-Base Capacitance-Max 12pF
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form WIRE
Base Part Number 2N3703
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Frequency - Transition 100MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N3700 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2493
2N3700 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3049
2N3700 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2916
2N3700A M Spezialisierte heiße ICs 1316
2N3700UB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2671
2N3700UB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N3701 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2341
2N3702 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2674
2N3702 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2590
2N3702 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2576

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