2N3819 Technische Spezifikationen

2N3819 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - RF product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / RF-MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -65°C
Voltage - Rated DC 25V
Max Power Dissipation 350mW
Base Part Number 2N3819
Power Dissipation 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
Continuous Drain Current (ID) 20mA
Drain to Source Breakdown Voltage 25V
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Number of Pins 3
Weight 201mg
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated 25V
Current Rating (Amps) 100mA
Current Rating 50mA
Element Configuration Single
Breakdown Voltage 25V
Transistor Type N-Channel JFET
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Input Capacitance 8pF
Length 5.2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N3810 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 465
2N3810 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 3090
2N3810 Central Semiconductor Corp Arrays BJT-Transistoren
2N3810 Microsemi Corporation Arrays BJT-Transistoren
2N3810A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2548
2N3810A Central Semiconductor Corp Arrays BJT-Transistoren
2N3810L Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2790
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2N3810U Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2540
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